FSIInternational采用ViPR(TM)技术的ZETA喷雾式清洗系统通过亚洲客户的200

摘要： FSI International宣布其具备ViPR(TM)技术的ZETA喷雾式清洗系统已可使用于200mm晶圆制程，同时也通过一家亚洲客户200mm晶圆生产线的认证。原先为因300mm先进技术所推出的ViPR技术，由于可借由单步骤的湿式制程成功去除高植入的光刻胶，因此获得多家300mm晶

FSI International宣布其具备ViPR(TM)技术的ZETA喷雾式清洗系统已可使用于200mm晶圆制程，同时也通过一家亚洲客户200mm晶圆生产线的认证。原先为因300mm先进技术所推出的ViPR技术，由于可借由单步骤的湿式制程成功去除高植入的光刻胶，因此获得多家300mm晶圆厂采用。为了让200mm晶圆厂也能体验相同的效益，FSI致力在200mm的ZETA系统平台上发展ViPR技术能力，此一技术让IC制造厂商可以透过免除灰化制程与干式灰化-湿式清洗多步骤的方法，降低成本与缩短开发周期，以释放出更多采用其他促成技术的弹性空间。“由于具备卓越的功能与优势，因此我们的ViPR技术已在先进的300mm晶圆应用获得更大的反响。”FSI主席兼执行长Don Mitchell表示，“随着ViPR技术在200mm晶圆制造的应用获得我们亚洲主要客户之一的认可，我们更乐见ViPR制程在提供客户技术升级的能力之外，更进一步协助他们善用并延伸在200mm晶圆制造的投资。”在今年11月亚洲举办的FSI International Knowledge Services(TM) Seminar系列研讨会中，此客户并提出了一份引人注意的技术验证报告，报告中指出200mm ViPR技术在先进逻辑元件免灰化处理的全湿式光刻胶移除制程方面的卓越能力。他们采用ViPR技术的策略考量是为了避免灰化制程中电浆导致的硅元件损坏，以提高生产力。此客户认为，ZETA系统的ViPR光刻胶移除制程不但可充分满足他们在光刻胶去除与元件电学性能的目标，同时还可根据元件种类缩短高达10%的制程周期，换言之可大量节省成本。处此之外，该客户也指出200mmViPR技术同时具备金属硅化物形成后残留金属薄膜去除的能力。事实上，ZETA ViPR技术已在300mm晶圆上获得验证，可在不损坏硅化物的情况下有效去除未反应的金属。更特别的是，此技术也已成功展现其去除钴硅化物的能力，并成功整合了最先进的镍铂硅化物形成制程，可采用更低退火温度来降低界面漏电流，进而提高制程良率。欢迎转载,（）

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